Opintojakso, lukuvuosi 2026–2027
EE.ELE.450
Semiconductor Device Physics, 5 op
Tampereen yliopisto
- Kuvaus
- Suoritustavat
Opetusperiodit
Aktiivinen periodissa 1 (1.8.2026–18.10.2026)
Aktiivinen periodissa 3 (1.1.2027–7.3.2027)
Aktiivinen periodissa 4 (8.3.2027–31.5.2027)
Koodi
EE.ELE.450Suorituskieli
EnglishLukuvuodet
2024–2025, 2025–2026, 2026–2027Opintojakson taso
Advanced studiesArviointiasteikko
General scale, 0-5Vastuuhenkilö
Responsible teacher:
Sayani MajumdarResponsible organisation
Faculty of Information Technology and Communication Sciences 100 %
Coordinating organisation
Electrical Engineering Studies 100 %
Asiasisältö
Core content
- Materials physics: energy bands, charge carriers, doping
- Junctions: metal-semiconductor, p-n, tunnel
- Devices: Schottky diode, p-n junction diode, tunnel diode, junction transistor, field effect transistor, photovoltaic devices
Specialist knowledge
- Metal oxide and 2D semiconductors
- Memristors, Spintronics and Ferroelectric Devices
Osaamistavoitteet
Esitietovaatimukset
Lisätiedot
Oppimateriaalit
Vastaavat opintojaksot
Kokonaisuudet, joihin opintojakso kuuluu
Suoritustapa 1
Attendance of at least 75% of the lectures and passing the final exam. Students may also receive some extra credit by completing the weekly exercises.
Suoritustavan kaikki osat ovat pakollisia.
Participation in teaching
Contact teaching
11.01.2027 – 30.04.2027
Aktiivinen periodissa 3 (1.1.2027–7.3.2027)
Aktiivinen periodissa 4 (8.3.2027–31.5.2027)