Opintojakso, lukuvuosi 2025–2026
EE.ELE.450
Semiconductor Device Physics, 5 op
Tampereen yliopisto
- Kuvaus
- Suoritustavat
Opetusperiodit
Aktiivinen periodissa 1 (1.8.2025–19.10.2025)
Aktiivinen periodissa 3 (1.1.2026–1.3.2026)
Aktiivinen periodissa 4 (2.3.2026–31.5.2026)
Koodi
EE.ELE.450Opetuskieli
EnglishLukuvuodet
2024–2025, 2025–2026, 2026–2027Opintojakson taso
Advanced studiesArviointiasteikko
General scale, 0-5Vastuuhenkilö
Responsible teacher:
Sayani MajumdarResponsible organisation
Faculty of Information Technology and Communication Sciences 100 %
Coordinating organisation
Electrical Engineering Studies 100 %
Core content
- Materials physics: energy bands, charge carriers, doping
- Junctions: metal-semiconductor, p-n, tunnel
- Devices: Schottky diode, p-n junction diode, tunnel diode, junction transistor, field effect transistor, photovoltaic devices
Specialist knowledge
- Metal oxide and 2D semiconductors
- Memristors, Spintronics and Ferroelectric Devices
Osaamistavoitteet
Esitietovaatimukset
Lisätiedot
Oppimateriaalit
Vastaavat opintojaksot
Kokonaisuudet, joihin opintojakso kuuluu
Suoritustapa 1
Attendance of at least 75% of the lectures and passing the final exam. Students may also receive some extra credit by completing the weekly exercises.
Suoritustavan kaikki osat ovat pakollisia.
Participation in teaching
Contact teaching
07.01.2026 – 27.04.2026
Aktiivinen periodissa 3 (1.1.2026–1.3.2026)
Aktiivinen periodissa 4 (2.3.2026–31.5.2026)